2N4235 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Power SW

2N4235 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Power SW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
149 шт., срок 6-8 недель
1 040 руб.
от 10 шт.810 руб.
от 25 шт.734 руб.
от 100 шт.586.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
Номенклатурный номер: 8005049555
Артикул: 2N4235 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at 250 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max: 175 at 250 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 500
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-39-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 6 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: 2N42
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 1.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 320 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.