2N4400 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5179 шт., срок 6-8 недель

96 руб.

от 10 шт. — 84 руб.

от 100 шт. — 54 руб.

от 1000 шт. — 31.22 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 96 руб.

Номенклатурный номер: 8005049565

Артикул: 2N4400 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	750 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	50
DC Current Gain hFE Max:	150
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Gain Bandwidth Product fT:	200 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.28