2DA1213Y-13, Bipolar Transistors - BJT 1W -50V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 руб.

от 10 шт. — 120 руб.

от 100 шт. — 58 руб.

от 1000 шт. — 38.35 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

Номенклатурный номер: 8005056063

Артикул: 2DA1213Y-13

Бренд: DIODES INC.

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 500 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	160 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DA12
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Вес, г	0.052

pdf, 268 КБ

Мы рекомендуем