2DA1774Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
79 руб.
от 100 шт. —
34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.75 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
Производитель | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2DA17 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-523-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Вес, г | 0.002 |
Техническая документация
Datasheet 2DA1774Q-7-F
pdf, 360 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов