DCX123JU-7-F, Digital Transistors COMP NPN/PNP 200mW

Фото 1/3 DCX123JU-7-F, Digital Transistors COMP NPN/PNP 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
73 руб.
от 10 шт.49 руб.
от 100 шт.19 руб.
от 1000 шт.14.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 73 руб.
Номенклатурный номер: 8005058578
Артикул: DCX123JU-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
DCX-U Pre-Biased Dual Transistors
Diodes Inc. DCX-U Pre-Biased Dual Transistors have built-in biasing resistors and Epitaxial Planar Die construction. The DCX-U have a surface mount package that is suited for automated assembly. They feature matte tin plated leads and are solderable per MIL-STD-202, Method 208.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 600
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Peak DC Collector Current: 100 mA
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series: DCX123
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN, PNP
Typical Input Resistor: 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.046
Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Collector Emitter Voltage Max PNP 50В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 80hFE
Power Dissipation 200мВт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора SOT-363
Линейка Продукции DCX Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Полярность Транзистора NPN and PNP Complement
Полярность Цифрового Транзистора NPN и PNP
Резистор База-эмиттер R2 47кОм
Резистор На входе Базы R1 2.2кОм
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Automotive No
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum DC Current Gain 100@1mA@5V|80@10mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 6
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-363
Type NPN|PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 250
Typical Input Resistor (kOhm) 2.2
Typical Resistor Ratio 0.05
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 755 КБ
Datasheet
pdf, 1899 КБ
Datasheet
pdf, 716 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов