DMN10H099SFG-13, MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

от 10 шт. — 180 руб.

от 100 шт. — 108 руб.

от 500 шт. — 87.24 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.

Номенклатурный номер: 8005059146

Артикул: DMN10H099SFG-13

Бренд: DIODES INC.

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

Id - непрерывный ток утечки	4.2 A
Pd - рассеивание мощности	2.31 W
Qg - заряд затвора	25.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	99 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PowerDI
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DMN10
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI3333-8
Вес, г	7