DMN3067LW-7, MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC

Фото 1/4 DMN3067LW-7, MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.54 руб.
от 100 шт.31 руб.
от 1000 шт.25.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8005059259
Артикул: DMN3067LW-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,1А, Idm: 10А, 0,5Вт, SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 6.1 ns
Id - Continuous Drain Current: 2.6 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 1.1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 4.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 67 mOhms
Rise Time: 5.2 ns
Series: DMN3067
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns
Typical Turn-On Delay Time: 3.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 2.6 A
Maximum Drain Source Resistance 98 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage 0.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Width 1.35mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 253 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов