DN2535N5-G, MOSFET 350V 25Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 25 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
342 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 350V 25Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 9.02 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 325 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25000 0V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 350 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 15000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | DMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 20(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 200 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 15(Max) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15(Max) |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10(Max) |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 758 КБ
Datasheet DN2535N5-G
pdf, 541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
