TC6320K6-G, MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET

TC6320K6-G, MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
от 10 шт.430 руб.
от 25 шт.386 руб.
от 100 шт.347.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8005187600
Артикул: TC6320K6-G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3300
Fall Time: 15 ns, 15 ns
Forward Transconductance - Min: 400 mS, 400 mS
Id - Continuous Drain Current: 1 A
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: DFN-8
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 7 Ohms, 8 Ohms
Rise Time: 15 ns, 15 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns, 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.0374

Техническая документация

Datasheet
pdf, 679 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов