TP2520N8-G, MOSFET 200V 12Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 25 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
336 руб.
от 250 шт. —
287.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 200V 12Ohm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 260 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 4.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.6 mm |
Вес, г | 0.0528 |
Техническая документация
Datasheet TP2520N8-G
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары