BC807UE6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 100 шт. —
120 руб.
от 1000 шт. —
59 руб.
от 3000 шт. —
41.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 160 |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-74-6 |
| Part # Aliases: | BC 807U E6327 SP000012395 |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | BC807 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 520 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
