BFP740H6327XTSA1, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
67 руб.
от 500 шт. —
53.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторы
Описание Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; HBT,RF; 13В; 45мА; 0,16Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 740 BFP BFP74H6327XT H6327 SP000750414 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Подкатегория | Transistors |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFP740 |
Технология | Si |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-343-4 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 4.7V |
Pd - Power Dissipation | 160mW |
Transistor Type | NPN |
Maximum Collector Emitter Voltage | 4.2 V |
Maximum DC Collector Current | 45 mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | TSFP-4-1 |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары