IPD30N06S215ATMA2

Фото 2/2 IPD30N06S215ATMA2
Фото 1/2 IPD30N06S215ATMA2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5313 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
290 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 100 шт.201 руб.
от 500 шт.164.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Номенклатурный номер: 8005240569
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CHANNEL_55/60V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 136 W
Qg - заряд затвора 41 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 28 ns
Время спада 19 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № IPD30N06S2-15 SP001061724
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 30A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 136W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 14.7mО© @ 30A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 80uA
Вес, г 4

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах