IPL60R180P6AUMA1, MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 3000 шт. —
390 руб.
от 6000 шт. —
379 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор HIGH POWER PRICE/PERFORM
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 22.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 176 W |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 162 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Время спада | 5.8 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 8 mm |
| Другие названия товара № | IPL60R180P6 SP001017098 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CoolMOS P6 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | VSON-4 |
| Ширина | 8 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 22.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.18 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | ThinkPAK 8x8 |
| Pin Count | 5 |
| Series | CoolMOS P6 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
