IXFK170N25X3, MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

Фото 1/2 IXFK170N25X3, MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 650 руб.
от 10 шт.4 430 руб.
от 25 шт.4 310 руб.
от 50 шт.3 858.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 650 руб.
Номенклатурный номер: 8005249892
Артикул: IXFK170N25X3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 170А, 890Вт, TO264, 140нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: IXYS
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 25
Fall Time: 7 ns
Forward Transconductance - Min: 66 S
Id - Continuous Drain Current: 170 A
Manufacturer: IXYS
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-264-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 960 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 190 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.1 mOhms
Rise Time: 10 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 62 ns
Typical Turn-On Delay Time: 18 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 246.9

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1673 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов