IXFK24N100Q3, MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
![Фото 1/3 IXFK24N100Q3, MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880064.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC023452954.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC024822520.jpg)
7 580 руб.
от 10 шт. —
6 030 руб.
от 25 шт. —
5 240 руб.
от 50 шт. —
4 797 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 580 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 24А, 1000Вт, TO264 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
Maximum Drain Source Resistance | 440 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Q3-Class |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Width | 5.13mm |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары