IXFP90N20X3M, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 680 руб.
от 50 шт. —
1 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 680 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 90А, 36Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 78 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.8 mOhms |
| Rise Time: | 26 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 162 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
