Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXFX120N25P, MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

IXFX120N25P, MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 990 руб.

от 10 шт. — 3 620 руб.

от 30 шт. — 3 090 руб.

от 60 шт. — 2 800.71 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 990 руб.

Номенклатурный номер: 8005250007

Артикул: IXFX120N25P

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	700 W
Qg - заряд затвора	185 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	33 ns
Время спада	33 ns
Высота	21.34 mm
Длина	16.13 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	45 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX120N25
Технология	Si
Тип	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	130 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.21 mm
Вес, г	7