IXFX120N30P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 830 руб.

от 10 шт. — 4 050 руб.

от 30 шт. — 3 580 руб.

от 60 шт. — 3 231.23 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 830 руб.

Номенклатурный номер: 8005250008

Артикул: IXFX120N30P3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	1.13 kW
Qg - заряд затвора	150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	13 ns
Время спада	11 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	54 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX120N30
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	1.6