MMBT2222A-G, RF Bipolar Transistors VCEO=40V IC=600mA

MMBT2222A-G, RF Bipolar Transistors VCEO=40V IC=600mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
76 руб.
от 10 шт.51 руб.
от 100 шт.20 руб.
от 1000 шт.14.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 76 руб.
Номенклатурный номер: 8005255239
Артикул: MMBT2222A-G
Бренд: Comchip Technology

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
MMBTx General Purpose Transistors Comchip Technology MMBTx General Purpose Transistors are NPN and PNP bipolar devices designed for high gain, low-noise, amplifier, and switching applications. These devices offer high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Comchip Technology MMBTx General Purpose Transistors are offered in an industry-standard, low-profile SOT-23 package, well-suited for pick-and-place assembly.

Технические параметры

Brand: Comchip Technology
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 40
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Comchip Technology
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 300 MHz
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: RF Bipolar Transistors
Product Type: RF Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Type: Bipolar Power
Type: RF Bipolar Power
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов