MMBT2222A-G, RF Bipolar Transistors VCEO=40V IC=600mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
76 руб.
от 10 шт. —
51 руб.
от 100 шт. —
20 руб.
от 1000 шт. —
14.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 76 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
MMBTx General Purpose Transistors Comchip Technology MMBTx General Purpose Transistors are NPN and PNP bipolar devices designed for high gain, low-noise, amplifier, and switching applications. These devices offer high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Comchip Technology MMBTx General Purpose Transistors are offered in an industry-standard, low-profile SOT-23 package, well-suited for pick-and-place assembly.
Технические параметры
Brand: | Comchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 600 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Comchip Technology |
Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 300 MHz |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar Power |
Type: | RF Bipolar Power |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов