2SA1834TLR, Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A
2251 шт., срок 7-9 недель
450 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
259 руб.
от 500 шт. —
204.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -10 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1834TLR
pdf, 416 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
