2SAR293P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3

2SAR293P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2087 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт.96 руб.
от 100 шт.56 руб.
от 1000 шт.33.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005258899
Артикул: 2SAR293P5T100
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SAR293P5
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 270 at - 100 mA, - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 680 at - 100 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 320 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Вес, г 0.7792

Техническая документация

Datasheet 2SAR293P5T100
pdf, 1766 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.