2SAR293P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2087 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт. —
96 руб.
от 100 шт. —
56 руб.
от 1000 шт. —
33.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 2SAR293P5 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at - 100 mA, - 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 at - 100 mA, - 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SxR |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Вес, г | 0.7792 |
Техническая документация
Datasheet 2SAR293P5T100
pdf, 1766 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.