Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SAR572D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP ...

2SAR572D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4825 шт., срок 7-9 недель

260 руб.

от 10 шт. — 200 руб.

от 100 шт. — 149 руб.

от 500 шт. — 114.19 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005258939

Артикул: 2SAR572D3TL1

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	10 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SAR572D3
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252
Maximum Collector Base Voltage	-30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-30 V
Maximum DC Collector Current	-5 A
Maximum Emitter Base Voltage	-6 V
Maximum Operating Frequency	300 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	10 W
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	1