2SAR574D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2201 шт., срок 7-9 недель
260 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
149 руб.
от 500 шт. —
113.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги20
Описание
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 280MHz |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10W |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 1A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Power Dissipation (Pd) | 10W |
| Transition Frequency (fT) | 280MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1176 КБ
Документация
pdf, 1175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
