2SB1695TL, Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1.5A

2SB1695TL, Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3000 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 100 шт.83 руб.
от 500 шт.62.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005258973
Артикул: 2SB1695TL
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP 30V 1.5A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.85 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № 2SB1695
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 270
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 680
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 280 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия 2SB1695
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TSMT-3
Ширина 1.6 mm
Base Product Number 2SB1695 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 280MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-96
Power - Max 500mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package TSMT3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2SB1695TL
pdf, 977 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.