Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SC4102U3T106R, Bipolar Transistors - BJT ...

2SC4102U3T106R, Bipolar Transistors - BJT Transistor for high-volt amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5240 шт., срок 7-9 недель

120 руб.

от 10 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 49 руб.

от 1000 шт. — 31.06 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005259000

Артикул: 2SC4102U3T106R

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for high-volt amp

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Voltage	120 V
Maximum DC Collector Current	50 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	140 MHz
Maximum Operating Temperature	150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323(SC-70)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1