Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SCR553RTL, Bipolar Transistors - BJT NPN 2A ...

2SCR553RTL, Bipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3444 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

от 10 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 74 руб.

от 500 шт. — 54.83 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005259057

Артикул: 2SCR553RTL

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SCR553R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	130 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	360 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TSMT-3
Collector Emitter Voltage Max	50В
Continuous Collector Current	2А
DC Current Gain hFE Min	180hFE
DC Усиление Тока hFE	180hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-346T
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	360МГц
Вес, г	1