Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SCR562F3TR, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

2SCR562F3TR, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

945 шт., срок 7-9 недель

250 руб.

от 10 шт. — 200 руб.

от 100 шт. — 134 руб.

от 500 шт. — 100.80 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005259061

Артикул: 2SCR562F3TR

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SCR562F3
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	270 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	DFN2020-3
Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	6А
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	1Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	HUML2020
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	270МГц
Вес, г	1