Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › DTC043XMT2L, Digital Transistors NPN Digital ...

DTC043XMT2L, Digital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors"

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3458 шт., срок 6-8 недель

79 руб.

от 10 шт. — 53 руб.

от 100 шт. — 21 руб.

от 1000 шт. — 12.09 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 79 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005262125

Артикул: DTC043XMT2L

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS DIGITAL NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходное напряжение	50 mV
Другие названия товара №	DTC043XM
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	250 MHz
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	8000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	2.1
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Base Product Number	DTC043 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SOT-723
Power - Max	150mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Supplier Device Package	VMT3
Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	1