Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RCX081N20, MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET

RCX081N20, MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

881 шт., срок 6-8 недель

320 руб.

от 10 шт. — 250 руб.

от 100 шт. — 179 руб.

от 500 шт. — 107.82 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Номенклатурный номер: 8005264964

Артикул: RCX081N20

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 10V Drive Nch Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	8.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.25 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	8 ns
Другие названия товара №	RCX081N20
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	RCX081N20
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Base Product Number	RCX081 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Bulk
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	770mOhm @ 4A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	TO-220FM
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.25V @ 1mA
Вес, г	2