RD3P100SNTL1, MOSFET Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3154 шт., срок 7-9 недель
430 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
243 руб.
от 500 шт. —
192.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
RD3P100SN is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching. Low on - resistance 4V drive
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.095Ом |
Power Dissipation | 20Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.095Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 147 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3P100SN |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Width | 6.4mm |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 1.009 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары