Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RD3P200SNTL1, MOSFET RD3P200SN is a Power ...

RD3P200SNTL1, MOSFET RD3P200SN is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12427 шт., срок 7-9 недель

610 руб.

от 10 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 358 руб.

от 250 шт. — 327.45 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.

Номенклатурный номер: 8005264995

Артикул: RD3P200SNTL1

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 100V N-CH 20A POWER

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	46 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns
Время спада	100 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	RD3P
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	150 ns
Типичное время задержки при включении	100 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-252-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.033Ом
Power Dissipation	20Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	20А
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.033Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-252
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Вес, г	3.698