2SA1298-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6373 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8005268088

Артикул: 2SA1298-Y,LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	320
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	800 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SA1298
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-236MOD-3
Вес, г	0.012