2SA1586SU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1132 шт., срок 6-8 недель
61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 61 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SA1586 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SC-70-3 |
Вес, г | 0.028 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1586SU-GR.LF
pdf, 252 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары