2SC6026MFVGR,L3F, Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2639 шт., срок 7-9 недель
58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT VESM PLN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | 2SC6026 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Base Product Number | 2SA1761 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-723 |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@10mA@100mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.15 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 60(Min) |
| Minimum DC Current Gain | 120@2mA@6V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | VESM |
| Type | NPN |
| Вес, г | 0.0015 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
