2SK3078A(TE12L,F), RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1687 шт., срок 7-9 недель
420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ МОП-транзисторы
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 10 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 470 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SK3078 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | PW-Mini-3 |
| Усиление | 8 dB |
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain | 8 dB |
| Id - Continuous Drain Current | 500 mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 470 MHz |
| Package / Case | PW-Mini-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| Product Category | RF MOSFET Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK3078 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Документация
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
