2SK3756(TE12L,F), RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1370 шт., срок 6-8 недель
480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain: | 12 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 470 MHz |
| Output Power: | 32 dBm |
| Package/Case: | PW-Mini-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 7.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Вес, г | 55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
