HN1B01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A

HN1B01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2866 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005268419
Артикул: HN1B01F-GR(TE85L,F
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V, 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 100 mV
Configuration: Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min: 120
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 150 MHz, 120 MHz
Manufacturer: Toshiba
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: +125 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SM-6
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Category Bipolar Small Signal
Collector Current (DC) 0.15 A
Collector-Base Voltage 60 V
Collector-Emitter Voltage 50 V
DC Current Gain 200
Emitter-Base Voltage 5 V
Frequency 150 MHz
Mounting Surface Mount
Number of Elements 2
Operating Temp Range -55C to 125C
Operating Temperature Classification Military
Package Type SM
Packaging Tape and Reel
Pin Count 6
Power Dissipation 0.3 W
Rad Hardened No
Transistor Polarity NPN/PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 855 КБ
Документация
pdf, 367 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.