HN1B04FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1650 шт., срок 7-9 недель
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | HN1B04 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V, -50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V, -50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 100 mV, -100 mV |
| Configuration | Dual |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 at 2 mA at 6 V, 120 at-2 mA at-6 V |
| DC Current Gain hFE Max | 400 at 2 mA at 6 V, 400 at-2 mA at-6 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V, -5 V |
| Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz, 120 MHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA, -150 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 383 КБ
Документация
pdf, 387 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
