RN1904FE,LF(CT, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

RN1904FE,LF(CT, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7532 шт., срок 7-9 недель
67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.
Номенклатурный номер: 8005268525
Артикул: RN1904FE,LF(CT
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) Toshiba Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) offer a wide range of polarity options. The bias resistor transistors are available in NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2, and PNP x 2 polarities. The Toshiba bias resistor built-in transistors offer 3-pin, 5-pin, and 6-pin configurations with options for single, 2-in-1 (point-symmetrical), and 2-in-1 (common-emitter) internal connections.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min: 80
Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V
Factory Pack Quantity: 4000
Manufacturer: Toshiba
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: ES-6
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Product Category: Digital Transistors
Product Type: Digital Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Typical Input Resistor: 47 kOhms
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 874 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.