RN1907FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor

RN1907FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20000 шт., срок 7-9 недель
80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 80 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005268528
Артикул: RN1907FE,LF(CT
Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 100 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 4000
Серия RN1907
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.213
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок SOT-563
Вес, г 0.003

Техническая документация

Datasheet RN1907FE.LF(CT
pdf, 324 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.