RN2909,LF(CT, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8894 шт., срок 6-8 недель
78 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | -50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -50 V |
| Configuration: | Dual |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 70 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | -15 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | -100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | US-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Typical Input Resistor: | 47 kOhms |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 538 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
