RN2910,LF(CT, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8549 шт., срок 6-8 недель
81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 81 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | -50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -50 V |
Configuration: | Dual |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
DC Current Gain hFE Max: | 400 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | -5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum DC Collector Current: | -100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | US-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Digital Transistors |
Product Type: | Digital Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.