SSM3J134TU,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10080 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-3.2A VDSS=-20V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 93 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SSM3J134TU |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 46.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J134TU.LF
pdf, 215 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
