SSM3J352F,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22514 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-2A VDSS=-20V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
Qg - заряд затвора | 5.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.8 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 54 ns |
Типичное время задержки при включении | 31 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | S-Mini-3 |
Вес, г | 0.012 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J352F.LF
pdf, 341 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары