SSM3J355R,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM3J355R,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
251871 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8005268609
Артикул: SSM3J355R,LF
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM3 High Current MOSFETs Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 12.8 S
Id - Continuous Drain Current: 6 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23F-3
Pd - Power Dissipation: 2 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 23 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 320 ns
Typical Turn-On Delay Time: 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -10 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 365 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.