SSM3J355R,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
251871 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM3 High Current MOSFETs Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 12.8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23F-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 320 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 365 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары