SSM6J216FE,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2754 шт., срок 6-8 недель

150 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

Номенклатурный номер: 8005268661

Артикул: SSM6J216FE,LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--4.8A VDSS=-12V

Id - непрерывный ток утечки	4.8 A
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Qg - заряд затвора	12.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6J216FE
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	145 ns
Типичное время задержки при включении	32 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-563-6
Вес, г	0.003

pdf, 216 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем