SSM6J401TU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm a. 4V, in UF6 package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5935 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
U-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | UF-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 73 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
