SSM6J511NU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38689 шт., срок 6-8 недель
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Semi Power MOSFETs Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
