SSM6K518NU,LF, MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm a. 1.8V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5669 шт., срок 6-8 недель
90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 90 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
U-MOSVII-H MOSFETs Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | UDFN-6B |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 108 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
